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臺積電最大封裝測試廠正式啟用!年產(chǎn)能超100萬片12英寸晶圓等效3DFabric工藝

6月13日,據(jù)Evertiq報道,全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺積電宣布其先進(jìn)后端晶圓廠Fab 6開業(yè)啟用,這是該公司首個一體自動化先進(jìn)封裝和測試晶圓廠,實(shí)現(xiàn)了前后端制程與測試服務(wù)的3DFabric整合。


該晶圓廠準(zhǔn)備量產(chǎn)TSMC-SoIC(集成芯片系統(tǒng))工藝技術(shù),將使臺積電能夠?yàn)槠?DFabric先進(jìn)封裝和芯片堆疊技術(shù)(如SoIC、InFO、CoWoS和先進(jìn)測試)分配產(chǎn)能,從而提高生產(chǎn)良率和效率。


報道稱,先進(jìn)后端Fab 6于2020年開始建設(shè),旨在支持下一代HPC、AI、移動應(yīng)用等產(chǎn)品,幫助客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品成功并贏得市場機(jī)會。該晶圓廠位于中國臺灣竹南科學(xué)園區(qū),占地面積達(dá)14.3公頃,是臺積電迄今為止最大的先進(jìn)后道晶圓廠,其潔凈室面積超過臺積電其它先進(jìn)后端晶圓廠的總和。


臺積電在一份新聞稿中估計(jì),該晶圓廠每年將有能力生產(chǎn)超過100萬片12英寸晶圓等效3DFabric工藝技術(shù)的能力,以及每年超過1000萬小時的測試服務(wù)。


今年4月26日,臺積電在美國加州圣克拉拉市舉行了2023年度北美技術(shù)論壇,會上著重介紹了3DFabric技術(shù)。據(jù)介紹,這個技術(shù)主要由先進(jìn)封裝、三維芯片堆疊和設(shè)計(jì)等三部分組成。通過先進(jìn)封裝,可以在單一封裝中置入更多處理器及存儲器,從而提升運(yùn)算效能;在設(shè)計(jì)支持上,臺積電推出開放式標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)語言的最新版本,協(xié)助芯片設(shè)計(jì)人員處理復(fù)雜大型芯片。


有市場消息稱,目前被全球大模型廠商追捧的英偉達(dá)H100計(jì)算芯片,就是基于臺積電3DFabric技術(shù),利用其中的CoWoS技術(shù)將6顆原本已經(jīng)很昂貴的第三代高頻記憶體(HBM3)連接起來,從而令每顆記憶體擴(kuò)充到80GB、每秒3TB的超高速資料傳輸。


臺積電此前曾在聲明中稱,硅含量在汽車、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)、HPC相關(guān)應(yīng)用中不斷增加,這些現(xiàn)代工作負(fù)載需要封裝技術(shù)創(chuàng)新,因此晶圓設(shè)計(jì)必須采用更全面的系統(tǒng)級優(yōu)化方法。該公司將這種優(yōu)化指向了“3D堆疊和先進(jìn)封裝技術(shù)”。


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