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HIP6601BECB

Part No :

HIP6601BECB

Manufacturer
Rochester Electronics
Description
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Catalog
PMIC - Gate Drivers
DataSheet
HIP6601BECB PDF
Unit Price
詢價QQ咨詢
Stock Num
928
Min Qty
340
Package
Tube

HIP6601BECB Specifications

Type Description
rohs: RoHS
gate type: N-Channel MOSFET
input type: Non-Inverting
part status: Obsolete
channel type: Synchronous
mounting type: Surface Mount
package / case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
voltage - supply: 10.8V ~ 13.2V
number of drivers: 2
driven configuration: Half-Bridge
operating temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
rise / fall time (typ): 20ns, 20ns
supplier device package: 8-SOIC-EP
logic voltage - vil, vih: -
high side voltage - max (bootstrap): 15 V
current - peak output (source, sink): -
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